FMUSER 1 stk Original ny MRF6VP3450H lateral N-kanal bredbånd RF-strøm MOSFET Transistor-RF transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER 1 stk Original ny MRF6VP3450H lateral N-kanal bredbånd RF-effekt MOSFET Transistor Beskrivelse: Designet til bredbånds kommercielle og industrielle applikationer med frekvenser fra 470 til 860 MHz. Disse enheds høje forstærkning og bredbåndsydelse gør dem ideelle til applikationer til forstærker med stort signal, almindelig kilde i 50 volt analogt eller digitalt fjernsynsudstyr. --Typisk DVB - T OFDM-ydeevne: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watts Gns., F = 860 MHz, 8K Mode, 64 QAM --Power Gain ： 22.5 dB - Afløbseffektivitet ： 28% --ACPR @ 4 MHz Offset ——62 dBc @ 4 kHz Båndbredde - Typisk bredbånd to - Toneydelse: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Po

Detalje

Tidligere:FUMSER Original MRF154 radiofrekvens Metaloxid halvleder felteffekt transistor

Næste:FMUSER 1 stk Original Ny MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER 1stk Original Ny MRF6VP3450H Lateral N-kanal Bredbånd RF Power MOSFET Transistor

Beskrivelse:
Designet til bredbånds kommercielle og industrielle applikationer med frekvenser fra 470 til 860 MHz. Den høje gevinst og bredbåndsydelse for disse enheder gør dem ideelle til applikationer med stor signal, almindelig kilde til forstærker i 50 volt analogt eller digitalt fjernsynsudstyr.

--Typisk DVB - T OFDM-ydeevne:
--VDD = 50 volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 90 Watts Gennemsnit, f = 860 MHz, 8K Mode, 64 QAM
--Effektforøgelse ： 22.5 dB
--Afløbseffektivitet ： 28%
--ACPR @ 4 MHz forskydning —— 62 dBc @ 4 kHz båndbredde

--Typisk bredbånds tofarvet ydeevne:
--VDD = 50 volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 watt PEP, f = 470-860 MHz
--Effektforøgelse ： 22 dB
--Afløbseffektivitet ： 44%
--IM3 ： -29 dBc

--Kan håndtere 10: 1 VSWR, alle fasevinkler, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 Watt CW
--90 watt gns. (DVB - T OFDM-signal, 10 dB PAR, 7.61 MHz kanalbåndbredde)

Features:
--Karakteriseret med serieækvivalente store parametre for signalimpedans
--Internt matchet input til brugervenlighed
--Kvalificeret Op til maksimal 50 VDD-drift
--Integreret ESD-beskyttelse
--Designet til Push-Pull-betjening

--Greater Negative Gate - Kildespændingsområde til forbedret klasse C-drift

--RoHS
--I Tape og Reel. R6 Suffix = 150 Enheder pr. 56 mm, 13 inch Reel.
--R5 Suffix = 50 enheder pr. 56 mm, 13 inch Reel.

Pakken indeholder:

1 * MRF6VP3450H transistor