FUMSER Original MRF154 Radiofrekvens Metaloxid Halvleder Felteffekt Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FUMSER Original MRF154 radiofrekvens Metaloxid halvleder felteffekt transistor Beskrivelse: --Produktkategori: RF metaloxid halvleder felteffekt (RF MOSFET) Transistor - Transistor polaritet: N-kanal - Teknologi: Si - Id-kontinuerlig afløbsstrøm: 60 A - Vds-afløbsspænding: 125 V - Forstærkning: 17 dB - Udgangseffekt: 600 W - Min. Driftstemperatur: -65 C - Maks. Arbejdstemperatur: + 150 C - Pakke / kasse : 368-3 --Konfiguration: Enkelt - Arbejdsfrekvens: 80 MHz - Type: RF Power MOSFET - Varemærke: MACOM - Pd-strømforsyning: 1.35 kW - Produkttype: RF MOSFET Transistorer - Fabriksemballage Mængde : 1 - Underkategori: MOSFETs - Vgs-gate-kilde spænding: 40 V --Vgs th- gat

Detalje

Tidligere:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor

Næste:FMUSER 1stk Original Ny MRF6VP3450H Lateral N-kanal Bredbånd RF Power MOSFET Transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
159	1	0	159	DHL
				DHL

FUMSER Original MRF154 radiofrekvens Metaloxid halvleder felteffekt transistor

Beskrivelse:

--Produktkategori: RF Metal Oxide Semiconductor Field Effect (RF MOSFET) Transistor
--Transistor polaritet: N-kanal
--Teknologi: Si
--Id-kontinuerlig afløbsstrøm: 60 A.
--Vds-Drain-kilde nedbrydningsspænding: 125 V.
--Forstærkning: 17 dB
--Udgangseffekt: 600 W
--Minimum driftstemperatur: -65 ° C
--Maksimal arbejdstemperatur: + 150 ° C
--Pakke / kasse: 368-3
--Konfiguration: Single
--Driftsfrekvens: 80 MHz
--Type: RF Power MOSFET
- Varemærke: MACOM
--Pd-effekt spredning: 1.35 kW
--Produktype: RF MOSFET-transistorer
- Fabriksemballagemængde: 1
--Underkategori: MOSFET'er
--Vgs-gate-kilde spænding: 40 V
--Vgs th- gate-source tærskelspænding: 3 V
--Enhedsvægt: 122.795 g

Funktioner:
--N – kanalforbedringsfunktion MOSFET
- Specificeret 50 volt, 30 MHz Egenskaber - Udgangseffekt = 600 Watt, Effektforstærkning = 17 dB (Typ.), Effektivitet = 45% (Typ.)
--Min frekvens: 2 MHz
--Maks frekvens: 100 MHz
- Udgang: 600 W.
--Forstærkning: 17 dB
- Effektivitet: 45%

Applikationer:
--Rumfart og forsvar
--ISM

Pakken indeholder:

1 * MRF154 transistor