FMUSER Original Ny MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER Original Ny MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor BESKRIVELSE MGF2430A, GaAs FET med en N-kanal schottkygate, er designet til L- til Ku-båndforstærkere. FUNKTIONER ● Høj udgangseffektP1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Høj lineær forstærkning GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Høj effekt tilføjet effektivitet A.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Hermetisk forseglet metalpakke ANVENDELSE ● For L til Ku-båndseffektforstærkere KVALITET ● IGOUTLINE TEGNING ANBEFALET BIAS BETINGELSER ● Vds = 10V Ids = 300 mA Rg = 500 ● Absolutte maksimale klassificeringer ● VGDO Gate til kildespænding ● VGSO Gate til kildespænding ● IDSS Satu

Detalje

Tidligere:1 STK MRFE6VP5300N original RF transistor

Næste:FMUSER Original ny MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
69	1	0	69	luftpost
				luftpost

FMUSER Original ny MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

BESKRIVELSE

MGF2430A, GaAs FET med et N-kanal schottkygate, er designet til L- og Ku-båndforstærkere.

FUNKTIONER

●Høj udgangseffektP1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Høj lineær forstærkningGLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Høj effekt tilføjet effektivitet PAA = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Hermetisk forseglet metalpakke ANVENDELSE

●For L- og Ku-båndseffektforstærkereKVALITET

●IGOUTLINE TEGNING

ANBEFALEDE BIAS-BETINGELSER

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Absolutte maksimale ratings
●VGDO-port til kildespænding
●VGSO port til kildespænding
●IDSS Mættet afløbsstrøm
●IGR Omvendt portstrøm
●IGF Fremadgående strøm
●PT * 1 Total strømafbrydelse
●Tch Cannel temperatur

●Tstg Opbevaringstemperatur * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)