FMUSER 1stk Original Original MRF141G RF Power MOSFET Transistor -RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER 1 stk Original ny MRF141G RF Power MOSFET Transistor Beskrivelse Designet til bredbånds kommercielle og militære applikationer ved frekvenser til 175 MHz. Denne enheds høje effekt, høje forstærkning og bredbåndsydelse er især nyttig til FM-udsendelse eller tv-kanalens frekvensbånd solid state-sendere og forstærkere. Funktioner ● Garanteret ydeevne ved 175 MHz, 28 V: ● Udgangseffekt: 300 W ● Forstærkning: 12 dB (14 dB Typ.) ● Effektivitet: 50% ● Lav termisk modstand: 0.35 ° C / W ● Robusthed testet ved nominel udgangseffekt ● Nitridpassiveret matric til forbedret pålidelighedsspecifikation ● Transistor polaritet: N-kanal ● Teknologi: Si ● Id - Kontinuerlig afløbsstrøm: 32 A

Detalje

Tidligere:MRF148A RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Næste:BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
168	1	0	168	DHL
				DHL

FMUSER 1 stk Original Ny MRF141G RF Power MOSFET transistor

Beskrivelse

Designet til bredbånds kommercielle og militære applikationer ved frekvenser til 175 MHz. Den høje effekt, høj forstærkning og bredbåndsydelse for denne enhed er især nyttig til FM-udsendelse eller tv-kanalfrekvens bånd solid state sendere og forstærkere.

Funktionalitet

●Garanteret ydeevne ved 175MHz, 28V:
●Udgangseffekt: 300W
●Forstærkning: 12 dB (14 dB Typ.)
●Effektivitet: 50%
●Lav termisk modstand: 0.35 ° C / W
●Robusthed testet med nominel udgangseffekt
●Nitrid passiveret matrice for forbedret pålidelighed

specifikation
●Transistor polaritet: N-kanal
●Teknologi: Si
●Id - Kontinuerlig drænstrøm: 32 A
●Vds - Drain-source nedbrydningsspænding: 65 V
●Driftsfrekvens: 175 MHz
●Forstærkning: 12 dB
●Udgangseffekt: 300 W
●Minimum driftstemperatur: - 65 ° C
●Maksimal driftstemperatur: + 150 ° C
●Monteringsform: SMD / SMT
●Pakke / sag: 375-04
●Pd - Strømafledning: 500 W
●Vgs - Gate-Source Spænding: 40 V

●Vgs TH - Gate-Source tærskelspænding: 3 V