FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistorer Høj robusthed N - Kanalforbedring - Mode lateral MOSFETs Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop-leverandør

FMUSER MRFE6VP5150N RF-effekt LDMOS-transistorer Høj robusthed N - Kanalforbedringsfunktion Laterale MOSFET'er Transistor Beskrivelse Disse enheder med høj robusthed er designet til brug i høj VSWR-industri (inklusive laser- og plasmavendere), udsendelse (analog og digital), rumfart og radio / land mobile applikationer. De er umatchede input- og output-design, der muliggør bred frekvensudnyttelse mellem 1.8 og 600 MHz. Typisk ydelse: VDD = 50 Vdc Parameterværdi ● Frekvens (Min) (MHz): 1.8 ● Frekvens (Maks) (MHz): 600 ● Forsyningsspænding (Typ) (V): 50 ● P1dB (Typ) (dBm): 51.8 ● P1dB (Typ) (W): 150 ● Udgangseffekt (Typ) (W) @ Intermodulationsniveau ved testsignal: CW @

Detalje

Tidligere:FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-kanal MOS felteffekt Bredbånd RF Power felteffekttransistor

Næste:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N RF-magt LDMOS-transistorer Høj robusthed N - Kanalforbedringsfunktion Lateral MOSFETs-transistor

Beskrivelse

Disse enheder med høj robusthed er designet til brug i høj VSWR industrielle (inklusive laser- og plasmacitatorer), transmission (analog og digital), luftrum og radio / land mobile applikationer. De er uovertruffen input og outputdesign, der giver mulighed for anvendelse af bred frekvensområde mellem 1.8 og 600 MHz.

Typisk ydelse: VDD = 50 Vdc

Parameter Værdi
● Frekvens (Min) (MHz): 1.8
● Frekvens (Max) (MHz): 600
● Forsyningsspænding (Type) (V): 50
● P1dB (Type) (dBm): 51.8
● P1dB (Type) (W): 150
● Output Power (Type) (W) @ Intermodulation Level ved testsignal: CW ved 150.0
● Test signal: CW
● Power Gain (Type) (dB) @ f (MHz): 230 @ 26.3
● Effektivitet (typ) (%): 72
● Termisk modstand (spec) (℃ / W): 0.21
● Matching: uovertruffen
● Klasse: AB
● Die-teknologi: LDMOS