FMUSER Original Ny MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Til 600w FM Transmitter-RF Transistor-FMUSER FM/TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Til 600w FM Transmitter Oversigt: Disse høj robuste enheder, MRFE6VP5600HR6 og MRFE6VP5600HSR6, er designet til brug i høj VSWR industrielle (inklusive laser- og plasma-mobile applikationer og radio- og radio- og radio-mobile applikationer). De er uovertrufne input og output designs, der tillader bred frekvensområde udnyttelse, mellem 1.8 og 600 MHz. Funktioner: * Uovertruffen input og output, der tillader et bredt frekvensområde. * Enheden kan bruges Single-Ended eller i en Push-Pull-konfiguration. * Kvalificeret op til et maksimum på 50 VDD-drift. * Karakter

Detalje

Tidligere:FMUSER Original Ny SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor

Næste:FMUSER Original ny SD2942 N-kanal 350W Output RF Power Transistor RF MOSFET Transistors RF Transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
265	1	35	300	DHL
				DHL

FMUSER Original Ny MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor For 600 w FM Transmitter

Oversigt:

Disse høj robusthed enheder, MRFE6VP5600HR6 og MRFE6VP5600HSR6, er designet til brug i høj VSWR industrielle (inklusive laser og plasma excitere), broadcast (analog og digital), rumfart og radio/land mobile applikationer. De er uovertrufne input og output designs, der tillader bred frekvensområde udnyttelse, mellem 1.8 og 600 MHz.

Funktioner:
* Uovertruffen input og output, der tillader et bredt frekvensområde.
* Enheden kan bruges Single-Ended eller i en Push-Pull-konfiguration.
* Kvalificeret op til et maksimumm 50 VDD Drift.
* Karakteriseret fra 30 V til 50 V for udvidet effektområde.
* Velegnet til lineær anvendelse med passende biasing.
* Integreret ESD-beskyttelse med større negativ gate-kildespændingsområde for forbedret klasse C-drift.
* Karakteriseret med serieækvivalente storsignalimpedansparametre.
* RoHS i overensstemmelse.
* I bånd og rulle. R6-suffiks = 150 enheder, 56 mm tapebredde, 13 tommer rulle.
* Disse produkter er inkluderet i vores produktlængdeprogram med sikret levering i mindst 15 år efter lanceringen.

Nøgleparametre:

Frekvens (Min) (MHz)	1.8
Frekvens (Maks.) (MHz)	600
Forsyningsspænding (typ) (V)	50
P1dB (typ) (dBm)	57.8
P1dB (Type) (W)	600
Output Power (Type) (W) @ Intermodulation Level ved testsignal	600.0 @ CW
Test signal	1-TONE
Power Gain (Type) (dB) @ f (MHz)	24.6 @ 230
Effektivitet (typ) (%)	75.2
Termisk modstand (spec) (℃ / W)	0.12
Klasse	AB
Matchende	uovertruffen
Die-teknologi	LDMOS

RF-ydelsestabel:
230 MHz smalbånd
Typisk ydeevne: VDD = 50 Volt, IDQ = 100 mA

Signaltype	Pout (W)	f (MHz)	GPS (dB)	ηD (%)	IRL (dB)
Puls (100 µsek., 20 % arbejdscyklus)	600 Peak	230	25.0	74.6	-18
CW	600 Gns	230	24.6	75.2	-17

Pakken omfatter:

1*MRFE6VP5600H RF Power Transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
265	1	35	300	DHL
				DHL

Tidligere:FMUSER Original Ny SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor

Næste:FMUSER Original ny SD2942 N-kanal 350W Output RF Power Transistor RF MOSFET Transistors RF Transistor

Læg en besked

Message List

Kommentarer Loading ...