Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
245	1	35	280	DHL
				DHL

 

FMUSER Original Ny MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W lateral N-kanal bredbånd

Oversigt

MRF6VP2600H er primært designet til bredbåndsapplikationer med frekvenser op til 500 MHz. Enheden er uovertruffen og er egnet til brug i broadcast applikationer.

Funktionalitet

* Typisk DVB-T OFDM-ydeevne: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 watt gennemsnit, f = 225 MHz, kanalbåndbredde = 7.61 MHz, indgangssignal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Sandsynlighed for CCDF. : 25 dB Afløbseffektivitet: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Båndbredde

* Typisk pulserende ydelse: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 watt peak, f = 225 MHz, pulsbredde = 100 µsek, driftscyklus = 20% effektforøgelse: 25.3 dB Afløbseffektivitet: 59%

* Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak Power, Pulsbredde = 100 μsec, Driftscyklus = 20%

* Karakteriseret med seriens ækvivalente parametre med stor signalimpedans

* CW-driftskapacitet med tilstrækkelig køling

* Kvalificeret op til maksimalt 50 VDD-drift

* Integreret ESD-beskyttelse

* Designet til push-pull-drift

* Større Negative Gate-Source Voltage Range for forbedret klasse C Operation

* RoHS

* I Tape og Reel. R6 Suffix = 150 Enheder pr. 56 mm, 13 inch Reel.

Specification

Frekvens (min.) (MHz): 2

Frekvens (Max) (MHz): 500

Forsyningsspænding (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Output Power (Type) (W) @ Intermodulationsniveau ved Test Signal: 125.0 @ AVG

Test Signal: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Effektivitet (Typ) (%): 28.5

Termisk modstand (Spec) (℃ / W): 0.2

Matchende: Uovertruffen

Klasse: AB

Die teknologi: LDMOS

 

 

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
245	1	35	280	DHL
				DHL