Tilføj favorit Set Homepage
Position:Home >> Produkter >> RF Transistor

Produkter Kategori

Produkter Tags

Fmuser steder

FMUSER Original Ny MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Højfrekvent Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor

FMUSER Original ny MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor FMUSER originale nye MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor designet primært til bredbåndsstort signaludgang og driverapplikationer med frekvenser op til 450 MHz. Enheder er uovertruffen og er velegnede til brug i industrielle, medicinske og videnskabelige anvendelser Produktdetaljer: Delnummer: MRF6V2150NB Beskrivelse: Lateral N-kanal Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Funktioner: Typisk CW-ydeevne ved 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt Pow

Detalje

Pris (USD) Vælg antal (PCS) Shipping (USD) I alt (USD) Fragtmetode Betaling
89 1 0 89 Luftpost forsendelse

 



FMUSER Original ny MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor






FMUSER originale nye MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor ddesignet primært til bredbåndssignaludgang og driverapplikationermed frekvenser op til 450 MHz. Enheder er umatchede og egner sig tilanvendelse i industrielle, medicinske og videnskabelige anvendelser



Produkt Detaljer:


Part nummer: MRF6V2150NB

Beskrivelse: Lateral N-kanal Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V



Funktioner:


Typisk CW-ydeevne ved 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt
Effektforstærkning: 25.5 dB
Afløbseffektivitet: 69%
Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 watt Udgangseffekt
Integreret ESD-beskyttelse
Fremragende termisk stabilitet
Letter manuel gevinststyring, ALC og moduleringsteknikker
225 ° C kapacitet af plastikpakke
RoHS



Generelle parametre:


Transistortype: LDMOS
Teknologi: Si
Anvendelsesindustri: ISM, Broadcast
Anvendelse: Videnskabelig, medicinsk
CW / puls: CW
Frekvens: 10 til 450 MHz
Effekt: 51.76 dBm
Effekt (W): 149.97 W
CW effekt: 150 W.
Effektforstærkning (Gp): 23.5 til 26.5 dB
Input Retur Tab: -17 til -3 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaritet: N-kanal
Forsyningsspænding: 50 V.
Tærskelspænding: 1 til 3 Vdc
Nedbrydningsspænding - afløbskilde: 110 V.
Spænding - Gate-Source (Vgs): - 0.5 til 12 Vdc
Afløbseffektivitet: 0.683
Afløbsstrøm: 450 mA
Impedans Zs: 50 ohm
Termisk modstand: 0.24 ° C / W
Pakketype: Flange
Pakke: SAG 1484--04, STIL 1 TIL - 272 WB - 4 PLAST
RoHS overensstemmelse: Ja
Driftstemperatur: 150 grader C.

Opbevaringstemperatur: -65 til 150 grader 



Pakken indeholder:
1x
MRF6V2150NB RF Power Transistor



 

 

Pris (USD) Vælg antal (PCS) Shipping (USD) I alt (USD) Fragtmetode Betaling
89 1 0 89 Luftpost forsendelse

 

Læg en besked 

Navn *
E-mail *
Telefon
Adresse
Kode Se bekræftelseskoden? Klik genopfriske!
Besked
 

Message List

Kommentarer Loading ...
Home| Om os| Produkter| Nyheder| Hent| Support| Feedback| Kontakt os| Service

Kontakt: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / WeChat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [e-mail beskyttet] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adresse på engelsk: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Adresse på kinesisk: 广州市天河区黄埔大道西道西273台惠广州市天河区黄埔大道西道道西305台惠允3)