FMUSER Original Ny MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER Original ny MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 er primært designet til pulserende bredbåndsapplikationer med frekvenser op til 150 MHz. Enheden er uovertruffen og er velegnet til brug i industrielle, medicinske og videnskabelige applikationer. Funktioner Typisk pulserende ydeevne ved 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt (200 W Gns.), Pulsbredde = 100 µsek, Driftscyklus = 20% Effektforøgelse: 26 dB Afløbseffektivitet: 71 % Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 watt Spidseffekt karakteriseret med serieækvivalente parametre med stor signalimpedans CW-funktionsevne med tilstrækkelig køling Kvalificeret Op til maksimalt 50 VDD-drift Integreret ESD-beskyttelse

Detalje

Tidligere:FMUSER Original Ny D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-pin DR D1029UK

Næste:FMUSER Original Ny MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Højfrekvent Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Original ny MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

FMUSER MRF6VP11KHR6 er primært designet til pulserende bredbåndsapplikationer med frekvenser op til 150 MHz. Enheden er uovertruffen og er velegnet til brug i industrielle, medicinske og videnskabelige applikationer.

Funktionalitet

Typisk pulserende ydeevne ved 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt (200 W Gns.), Pulsbredde = 100 µsek, Driftscyklus = 20%
Effektforstærkning: 26 dB
Dræn Effektivitet: 71%
Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Karakteriseret med seriens ækvivalente parametre med stor signalimpedans
CW-driftskapacitet med tilstrækkelig køling
Kvalificeret Op til maksimal 50 VDD-drift
Integreret ESD-beskyttelse
Designet til push-pull-drift
Større Negative Gate-Source Voltage Range for forbedret klasse C Operation
RoHS
I tape og hjul. R6 Suffix = 150 enheder pr. 56 mm, 13 tommer rulle

Specification

Transistor Type: LDMOS
Teknologi: Si
Anvendelsesindustri: ISM, Broadcast
Anvendelse: Videnskabelig, medicinsk
CW / puls: CW
Frekvens: 1.8 til 150 MHz
Effekt: 53.01 dBm
Effekt (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Spidseffekt: 1000 W
Pulserende bredde: 100 os
Duty_Cycle: 0.2
Effektforstærkning (Gp): 24 til 26 dB
Input Return: Tab: -16 til -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaritet: N-kanal
Forsyningsspænding: 50 V.
Tærskelspænding: 1 til 3 Vdc
Nedbrydningsspænding - Afløbskilde: 110 V
Spænding - Gate-Source: (Vgs): - 6 til 10 Vdc
Afløbseffektivitet: 0.71
Afløbsstrøm: 150 mA
Impedans Zs: 50 ohm
Termisk modstand: 0.03 ° C / W
Pakke: Type: Flange
Pakke: CASE375D - 05 STIL 1 NI - 1230--4
RoHS overensstemmelse: Ja
Driftstemperatur: 150 grader C.
Opbevaringstemperatur: -65 til 150 ° C