BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop-leverandør

BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR Beskrivelse En 300 W LDMOS RF-effekttransistor til udsendelsessenderapplikationer og industrielle applikationer. Transistoren kan levere 300 W bredbånd over hele UHF-båndet fra 470 MHz til 860 MHz. Enhedens fremragende robusthed og bredbåndsydelse gør den ideel til applikationer med digital sender. symbol Parameter ● frange frekvensområde = 470 til 860MHz ● PL (1dB) nominel udgangseffekt ved 1 dB forstærkningskompression 300W ● Test signal: CW ● PL (PEP) udgangseffekt 300 W ● Gp effektforøgelse VDS = 42 V; f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL (PEP) = 300 W 18 21 dB Funktioner og fordele ● Fremragende robusthed ● Høj effektforøgelse ● Fremragende pålidelighed ● Høj effektivitet ● God

Detalje

Tidligere:FMUSER 1stk Original Ny MRF141G RF Power MOSFET Transistor

Næste:1 STK MRF275G original RF transistor

Pris (USD)	Vælg antal (PCS)	Shipping (USD)	I alt (USD)	Fragtmetode	Betaling
226	1	0	226	DHL
				DHL

BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Beskrivelse

En 300 W LDMOS RF-effekttransistor til udsendelsessendere og industrielle applikationer. Transistoren kan levere 300 W bredbånd over hele UHF-båndet fra 470 MHz til 860 MHz. Enhedens fremragende robusthed og bredbåndsydelse gør den ideel til applikationer med digital sender.

symbol Parameter
●frynser frekvensområde =470 til 860MHz
●PL (1 dB) nominel udgangseffekt ved 1 dB forstærkningskompression 300W
●Test signal CW
●PL (PEP) udgangseffekt 300 W
●Gp magtgevinst VDS = 42 V; f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL (PEP) = 300 W. 18 21 dB

Funktioner og fordele
●Fremragende robusthed
●Høj magt gevinst
●Fremragende pålidelighed
●Høj effektivitet
●God termisk stabilitet
●Nem effektstyring
●Integreret ESD-beskyttelse
●Intern input og output matching
●Avanceret flangemateriale for optimal termisk adfærd og pålidelighed

●Opfylder til direktiv 2002 / 95 / EF vedrørende begrænsning af farlige stoffer